V současné době se v oblasti flash NAND pamětí setkáváme nejčastěji s čipy, které jsou vyrobeny 34nm nebo v lepším případě 25nm technologií. Intel ve spolupráci se společností Micron ale boří bariéry a uvede na trh 20nm paměti, které budou mít řadu výhod. Při stejné kapacitě budou nové paměti zabírat menší prostor, což je ideální pro použití pamětí v chytrých telefonech nebo tabletech. Naopak při stejné velikosti jako současné paměťové moduly, nabídnou nové čipy větší kapacitu a nižší spotřebu. Právě nižší spotřeba je důležitá pro využití ve veškerých mobilních zařízeních.

 Srovnání pamětí

Intel a Micron představili vzorek zmíněných pamětí vyrobených 20nm technologií v podobě 8 GB modulu. Plocha tohoto modulu je velká pouhých 118 mm2. Současné paměťové moduly vyrobené 25nm technologií přitom zabírají až o 40 procent větší plochu. Vůči starším modelům mají ty nové také nižší výrobní náklady a to až o jednu třetinu. První 8GB moduly 20nm pamětí budou uvedeny do prodeje nejpozději v druhé polovině tohoto roku. Zhruba ve stejné době dojde k představení 16 GB modulů postavených na stejné technologii. Již příští rok by přitom měly spatřit světlo světa také paměti vyrobené 16nm technologií.

Zdroj: DT